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    本發明提供一種溫度測定裝置及溫度測定方法，可同時測定多數之處理腔室內的溫度測定對象物之溫度。本發明之溫度測定裝置包含：第1光線分離機構，用於將來自光源的光線分離成多數之測定用之光線；多數之第2光線分離機構，用於將多數之測定用之光線分別分離成測定光與參考光；第3光線分離機構，用於將測定光分離成第1~第n共n道測定光；參考光反射機構，用於分別反射多數之參考光；單一之光路長度改變機構，用於改變從參考光反射機構反射的參考光之光路長度；以及多數之光偵測器，用於測定從溫度測定對象物反射的第1~第n測定光，其與從參考光反射機構反射的多數之參考光之間的干涉。
    公开号:TW201303274A
    申请号:TW101108885
    申请日:2012-03-15
    公开日:2013-01-16
    发明作者:Tatsuo Matsudo；Chishio Koshimizu
    申请人:Tokyo Electron Ltd；
    IPC主号:G01K11-00
    专利说明:
    溫度測定裝置及溫度測定方法
    本發明係關於溫度測定裝置及溫度測定方法。
    經電漿處理裝置處理的基板，例如半導體晶圓或液晶顯示裝置用基板，正確地測定其溫度對於依據成膜或蝕刻等各種處理結果來正確控制半導體晶圓或液晶顯示裝置用基板上所形成的膜或孔洞等物的形狀、物性等而言，亦係極為重要。因此，以往係藉由各種方法來量測半導體晶圓或液晶顯示裝置用基板之溫度，例如藉由使用電阻溫度計或測定基板背面溫度的螢光式溫度計等的量測法等。
    近年來，已知有種利用低相干性干涉儀的溫度量測技術，可直接量測上述習知溫度量測方法所難以量測的基板之溫度。再者，亦有提案一種技術，在上述利用低相干性干涉儀的溫度量測技術中，藉由第1分光器將來自光源的光線分離成溫度測定用的測定光與參考光，再將分離的測定光藉由第2分光器分離成n道測定光而將n道測定光朝向n個測定點照射，並測定此等n道測定光之反射光與參考光反射機構所反射的參考光之反射光之間的干涉，而能同時測定多數之測定點之溫度(例如參照專利文獻1。)。依據此種技術，能利用簡單的構成來一次測定多數之測定點之溫度。又，已知有種利用低相干性干涉儀的溫度量測技術，將測定光藉由多工器來切換供給至多數之處理腔室，而可量測多數之處理腔室內的基板等之溫度(例如參照專利文獻2。)。 【先前技術文獻】 【專利文獻】
    專利文獻1：日本特開2006-112826號公報
    專利文獻2：日本特開2008-216182號公報
    上述將測定光藉由多工器來切換供給至多數之處理腔室，而可量測多數之處理腔室內的基板等之溫度的溫度量測技術中，因為係藉由多工器來切換供給測定光，所以無法同時測定多數之處理腔室內的基板等之溫度。
    本發明係為了應對上述習知情況，目的在於提供一種溫度測定裝置及溫度測定方法，能同時測定多數之處理腔室內的溫度測定對象物之溫度。
    本發明之溫度測定裝置的一態樣，其特徵在於包含：光源；第1光線分離機構，用於將該來自光源的光線分離成多數之測定用之光線；多數之第2光線分離機構，用於將來自該第1光線分離機構的多數之測定用之光線，分別分離成測定光與參考光；與該第2光線分離機構相等數量之第3光線分離機構，用於將來自該第2光線分離機構的各測定光，再分離成第1~第n共n道測定光；參考光反射機構，用於分別反射來自該多數之第2光線分離機構的參考光；光路長度改變機構，用於改變從該參考光反射機構反射的參考光之光路長度；與該第2光線分離機構相等數量之參考光傳送機構，將來自該第2光線分離機構的各參考光，傳送到朝向該參考光反射機構進行照射的位置；第1~第n測定光傳送機構，將來自該第3光線分離機構的該第1~第n測定光，傳送至朝向各溫度測定對象物的各測定點進行照射的測定光照射位置；以及與該第2光線分離機構相等數量之光偵測器，用於測定從該溫度測定對象物反射的該第1~第n測定光，其與從該參考光反射機構反射的多數之參考光之間的干涉；並且，使得該第1~第n測定光從該第3光線分離機構起到該溫度測定對象物為止的各光路長度彼此互異，而且，藉由單一之該光路長度改變機構，改變從該參考光反射機構反射的參考光之光路長度。
    本發明之溫度測定方法的一態樣，係採用溫度測定裝置來測定該溫度測定對象物之溫度，該溫度測定裝置包含：光源；第1光線分離機構，用於將該來自光源的光線分離成多數之測定用之光線；多數之第2光線分離機構，用於將來自該第1光線分離機構的多數之測定用之光線，分別分離成測定光與參考光；與該第2光線分離機構相等數量的第3光線分離機構，用於將來自該第2光線分離機構的各測定光再分離成第1~第n共n道測定光；參考光反射機構，分別反射來自該多數之第2光線分離機構的參考光；光路長度改變機構，用於改變從該參考光反射機構反射的參考光之光路長度；與該第2光線分離機構相等數量的參考光傳送機構，將來自該第2光線分離機構的各參考光，傳送至朝向該參考光反射機構進行照射的位置；第1~第n測定光傳送機構，將來自該第3光線分離機構的該第1~第n測定光，傳送至朝向各溫度測定對象物的各測定點進行照射的測定光照射位置；以及與該第2光線分離機構的相等數量的光偵測器，用於測定從該溫度測定對象物反射的該第1~第n測定光，其與從該參考光反射機構反射的多數之參考光之間的干涉；並且，使得該第1~第n測定光從該第3光線分離機構起到該溫度測定對象物為止的各光路長度彼此互異，其特徵在於，藉由單一之該光路長度改變機構來改變從該參考光反射機構反射的參考光之光路長度。
    依據本發明，可提供一種溫度測定裝置及溫度測定方法，能同時測定多數之處理腔室內的溫度測定對象物之溫度。
    (實施發明之最佳形態)
    以下參照圖式說明本發明之實施形態。另，本明細書及圖式中，對於實質上具有相同功能構成之構成要素標註相同元件符號並省略重複說明。
    圖1係示意性顯示第1實施形態的溫度測定裝置100之構成。圖1中，PC1~PC6係表示電漿蝕刻裝置的處理腔室。另，圖1中由於空間的關係，PC3~PC6的圖示比PC1、PC2要簡略化，但PC3~PC6係與PC1、PC2同樣的構成。本第1實施形態中，溫度測定裝置100係對於配設在此等PC1~PC6內的載置台10上所載置的半導體晶圓W，從背面側測定其中央部及周緣部溫度。亦即，本第1實施形態中，溫度測定對象物係半導體晶圓W。另，在半導體晶圓W之溫度外，亦可測定例如圖1中所示的聚焦環11之溫度。
    溫度測定裝置100包含：光源110；第1光線分離機構120，用於將來自該光源110的光線分離成多數(N)之測定用之光線；多數(本實施形態中為3個)之第2光線分離機構130，用於將來自第1光線分離機構120的多數之測定用之光線分別分離成測定光與參考光；以及與第2光線分離機構130相等數量(本實施形態中為3個)的第3光線分離機構140，用於將來自第2光線分離機構130的各測定光，再分離成第1~第n共n道(本實施形態中n=4)測定光(本實施形態中為第1~第4測定光)。
    又，溫度測定裝置100包含：參考光反射機構150，用於分別反射來自多數之第2光線分離機構130的參考光；光路長度改變機構160，用於改變從參考光反射機構150反射的參考光之光路長度；與第2光線分離機構130相等數量(本實施形態中為3個)的參考光傳送機構170，將來自第2光線分離機構130的各參考光傳送至朝向參考光反射機構150進行照射的位置；第1~第4測定光傳送機構180a~180d，將來自第3光線分離機構140的第1~第4測定光，傳送至朝向各溫度測定對象物之各測定點進行照射的測定光照射位置；以及與第2光線分離機構130相等數量的光偵測器190，用於測定從溫度測定對象物反射的第1~第4測定光，其與從參考光反射機構150反射的多數之參考光之間的干涉。
    又，溫度測定裝置100中，將第1~第4測定光從第3光線分離機構140起到作為溫度測定對象物的半導體晶圓W為止的各光路長度設定成彼此互異。再者，溫度測定裝置100中係藉由單一之光路長度改變機構160來改變從參考光反射機構150反射的3個參考光之光路長度。
    就光源110而言，只要能測定出測定光與參考光之間的干涉即可，可使用任意光線。進行半導體晶圓W之溫度測定時，宜為至少來自半導體晶圓W的表面與背面之間的距離(通常為800~1500μm左右)的反射光不會產生干涉的程度之光線。具體而言，宜使用例如低相干性光線。低相干性光線係指相干長度較短的光線。低相干性光的中心波長宜為例如例0.3~20μm，更佳者為0.5~5μm。又，就相干長度而言，宜為例如0.1~100μm，更佳者為3μm以下。藉由使用此種低相干性光線作為光源110，能避免多餘干涉導致的障礙，而能依據來自半導體晶圓W之表面或內部層的反射光，容易地測定其與參考光之間的干涉。
    就使用上述低相干性光的光源而言，例如可使用SLD(超冷光二極體，Super Luminescent Diode)、LED、高輝度燈泡(鎢絲燈、氙氣燈等)、超寬頻波長光源等。在此等低相干性光源之中，宜使用圖1所示的高輝度SLD(波長例如為1300nm)作為光源110。
    就第1光線分離機構120而言，例如可使用光纖耦合器。但不限定於此，只要能分離成多數(N)之測定用之光線即可，可採用任何光線分離機構。又，第2光線分離機構130例如同樣可使用光纖耦合器。但不限定於此，只要能分離成參考光與測定光即可，可採用任何光線分離機構。就第3光線分離機構140而言，例如可使用光纖耦合器。但不限於此，只要能分離成多數(本實施形態中為4道)之測定光即可，可採用任何光線分離機構。就第1光線分離機構120、第2光線分離機構130、第3光線分離機構140而言，亦可使用例如光波導式分波器、半透鏡。
    參考光反射機構150，例如藉由參考鏡構成。就參考鏡而言，例如可使用三面直角稜鏡、平面鏡等。本實施形態係藉由單一之平面鏡來反射3道參考光之構成。
    光路長度改變機構160係用於使上述參考光反射機構150往平行於參考光之入射方向的方向移動。如上所述，本實施形態係藉由單一之平面鏡所構成的參考光反射機構150來反射3道參考光，使該參考光反射機構150藉由單一之光路長度改變機構160而往平行於參考光之入射方向的方向移動。如此，藉由將參考光反射機構150往一方向驅動，能改變從參考光反射機構150反射的參考光之光路長度。光路長度改變機構160係由線性平台161、伺服電動機162、雷射干涉儀163等所構成。伺服電動機162係經由電動機控制器165及電動機驅動器166而受到電腦等所構成的控制器200進行控制。又，來自雷射干涉儀163的信號係在A/D轉換器201轉換成數位信號而輸入至控制器200。
    就光偵測器190而言，若考慮便宜性、小巧性，宜使用例如光電二極體來構成。具體而言係藉由採用例如Si光電二極體、InGaAs光電二極體、Ge光電二極體的PD(光偵測器，Photo Detector)來構成。但是，只要能測定來自溫度測定對象物的測定光與來自參考光反射機構150的參考光之間的干涉即可，不限定於上述之物，亦可採用例如雪崩光電二極體、光電倍增管等來構成光偵測器190。光偵測器190之偵測信號經由放大器191而輸入至A/D轉換器201，轉換成數位信號並由控制器200進行處理。
    來自第2光線分離機構130的參考光，藉由與第2光線分離機構130相等數量(本實施形態中為3個)的參考光傳送機構170而傳送至朝向參考光反射機構150進行照射的參考光照射位置。參考光傳送機構170分別由光纖及準直管等所構成。
    又，來自第3光線分離機構140的第1~第4測定光，藉由第1~第4測定光傳送機構180a~180d，分別傳送至朝向溫度測定對象物(本實施形態中為半導體晶圓W)進行照射的測定光照射位置。第1~第4測定光傳送機構180a~180d分別藉由光纖及準直管等所構成。
    上述溫度測定裝置100中使得第1~第4測定光從第3光線分離機構140起到溫度測定對象物為止的各光路長度彼此互異。具體而言，例如，第1~第4測定光傳送機構180a~180d之光纖長度分別相同時，將例如準直管的前端面，亦即測定光照射位置，從溫度測定對象物往大致平行於照射方向的方向分別偏移配置。又，亦可藉由改變光纖長度且不使準直管的前端面偏移，以使得上述第1~第4測定光從第3光線分離機構140起到溫度測定對象物為止的各光路長度不同。
    另，第1~第4測定光從第3光線分離機構140起到溫度測定對象物為止的各光路長度差異，必須至少使在各測定點測定的第1~第4測定光與參考光之間的干涉波不相重疊。例如使用低相干性光源作為光源110時，只要各光路長之差異至少具有干涉波之相干長度以上，即能防止干涉波之重疊。又，此種各光路長度差差，宜考慮溫度測定對象物的厚度或厚度變化率、所測定的溫度範圍、參考光反射機構150之移動距離等來決定。具體而言，例如具有0.7mm左右厚度的矽晶圓，因為從常溫到200℃左右的溫度範圍中，參考光反射機構150的移動距離係0.04mm左右，所以只要將第1~第4測定光之光路長度差異分別設為0.1mm左右，即能使得各測定點的干涉波不相重疊。
    藉此，可使參考光反射機構150僅進行一次掃描即一次偵測各第1~第4測定光所照射的測定點之干涉波。又，本實施形態中，參考光反射機構150分別反射來自3個第2光線分離機構130的3道參考光。所以，藉由參考光反射機構150僅一次掃描，即能進行使用此等3道參考光的6個各處理腔室PC1~PC6之溫度測定。因此，能夠極力縮短溫度量測耗費的時間。
    如上所述，溫度測定裝置100中，來自光源110的光線入射至第1光線分離機構120，分離成多數(3個以上)之測定用之光線。此等測定用之光線，分別入射至多數(本實施形態中為3個)之第2光線分離機構130，分離成測定光與參考光。其中，測定光藉由第3光線分離機構140分離成第1~第4測定光，並於各處理腔室PC1~PC6中，從測定光照射位置朝向溫度測定對象物即半導體晶圓W的各測定點進行照射，而在半導體晶圓W的背面、各層的交界面、表面反射。
    另一方面，參考光藉由參考光反射機構150反射。並且，第1~第4測定光的各反射光，經由第3光線分離機構140入射至第2光線分離機構130，與參考光的反射光一併在光偵測器190受到偵測。
    並且，藉由光路長度改變機構160使參考光反射機構150掃描而獲得干涉波形。在此，就光源110而言，採用如上所述的低相干性光源。依據低相干性光源，因為來自光源110的光線之相干長度較短，通常具有在測定光之光路長度與參考光之光路長度一致之處產生強烈干涉，而此外之處的干涉實質上減少之特質。因此，藉由移動參考光反射機構150來改變參考光之光路長度，在溫度測定對象物的表面及背面之外，對於內部或有多層時連各層也能藉由此等的折射率差異使得反射的測定光與參考光相干涉。
    圖2之圖表以縱軸為干涉強度(V)，橫軸為參考鏡移動距離(μm)來顯示上述干涉波的波形之例。如圖2所示，半導體晶圓W之折射率為n，半導體晶圓W之厚度為d時，在分開距離相當於nd的位置，偵測在半導體晶圓W的背面所反射的測定光之干涉波，與在半導體晶圓W的表面側所反射的測定光之干涉波。並且，由於設定使得到各測定點之光路長度不同，所以在分開相當於光路長度差異的距離之位置偵測到各測定點的干涉波之尖峰。
    藉由上述溫度測定裝置100進行半導體晶圓W等之溫度測定時，在溫度測定之前，先進行溫度測定對象物即半導體晶圓W等的初始厚度測定。此時，獲得如圖2所示的干涉波之波形，以尖峰間隔的形式獲得半導體晶圓W等之初始厚度。並且，半導體晶圓W等之溫度係藉由厚度相對於此初始厚度的變化，亦即藉由尖峰間隔之變化來偵測。
    其次詳細說明依據測定光與參考光之間的干涉波，並採用依據溫度變化的光路長度變化來測定溫度的方法。
    半導體晶圓W等溫度測定對象物受到電漿等地作用而加溫時，半導體晶圓W等膨脹並且折射率改變，所以在溫度變化前與溫度變化後，干涉波形的位置偏移，干涉波形的尖峰間寬度改變。此時，只要各測定點有溫度變化，則各測定點的干涉波形位置偏移，干涉波形的尖峰間寬度改變。可藉由對於每個此種測定點測定干涉波形的尖峰間寬度來偵測溫度變化。例如，如圖1所示的溫度測定裝置100，因為干涉波形的尖峰間寬度，對應於參考光反射機構150的移動距離，所以能藉由測定參考光反射機構150在干涉波形的尖峰間寬度的移動距離，來偵測溫度變化。
    半導體晶圓W的厚度為d，折射率為n時，就干涉波形的尖峰位置偏移而言，厚度d係依存於各層固有的線膨脹係數α，又折射率n的變化係主要依存於各層固有的折射率變化之溫度係數β。另，已知折射率變化之溫度係數β亦依存於波長。
    所以，若以算式來表示位於某測定點P的溫度變化後的半導體晶圓W之厚度d'，即如下述算式(1)所示。另，算式(1)中，△T係表示測定點的溫度變化，α係線膨脹率，β係折射率變化之溫度係數。又，d、n分別表示在溫度變化前的測定點P之厚度、折射率。
    d'=d‧(1+α△T)，n'=n‧(1+β△T)………(1)
    如上述算式(1)所示，溫度變化使得穿透測定點P的測定光之光路長度改變。光路長度，一般而言係以厚度d與折射率n之乘積表示。所以，當穿透溫度變化前的測定點P的測定光之光路長度為L，測定點的溫度分別改變△T之後的光路長為L'時，L、L'分別成為下述算式(2)所示。
    L=d‧n、L'=d'‧n'………(2)
    所以，藉由上述數式(1)、(2)計算並整理測定點的測定光之光路長度的溫度變化前後差異(L'-L)時，成為如下述算式(3)所示。另，下述算式(3)中，考慮α‧β≪α、α‧β≪β並省略微小項。
    L'-L=d'‧n'-d‧n=d‧n‧(α+β)‧△T=L‧(α+β)‧△T1………(3)
    在此，各測定點的測定光之光路長度，相當於其與參考光的干涉波形之尖峰間寬度。所以，預先調查好線膨脹率α、折射率變化之溫度係數β，並量測在各測定點與參考光之間干涉波形的尖峰間寬度，即能採用上述算式(3)來換算成各測定點的溫度。
    如此從干涉波形的尖峰間隔換算成溫度時，因為如上所述，干涉波形的尖峰之間所代表的光路長度係依據線膨脹率α及折射率變化之溫度係數β而改變，所以必須預先調查好此等線膨脹率α及折射率變化之溫度係數β。包含半導體晶圓W在內，物質的線膨脹率α及折射率變化之溫度係數β就一般而言，有些情況下亦依據溫度帶不同而依存於溫度。例如就線膨脹率α而言，一般在物質的溫度為0~100℃左右溫度範圍中並無大幅變化，所以亦可視為固定，但在100℃以上的溫度範圍，依據物質的不同，有些情況下溫度越高則變化率越大，所以此種情況下無法忽視溫度依存性。就折射率變化之溫度係數β而言，有些情況下同樣依據溫度範圍而無法忽視溫度依存性。
    例如就構成半導體晶圓W的矽(Si)而言，已知在0~500℃的溫度範圍中，線膨脹率α及折射率變化之溫度係數β可藉由例如二次曲線來近似。如此，因為線膨脹率α及折射率變化之溫度係數β依存於溫度，所以只要預先調查好例如因應於溫度的線膨脹率α及折射率變化之溫度係數β，並考慮其值來進行溫度換算，即能換算成更加正確的溫度。
    其次說明其他實施形態。圖3係顯示第2實施形態之構成。圖3所示的溫度測定裝置100a係對於3個處理腔室PC1~PC3分別測定4點溫度之構成，並係將第3光線分離機構140所分離的第1~第4共4道測定光照射至處理腔室PC1~PC3內的半導體晶圓W上的3點及聚焦環11上的1點來測定此等部位之溫度。
    又，圖4係顯示第3實施形態之構成。圖4所示的溫度測定裝置100b中，就光源110而言係使用SC(超連續，Supercontinuum)光源等具有連續性波長的光源，而非單波長的光源，並使用分離不同波長光線的波長分離分光器等作為第1光線分離機構120來分離成不同波長的3道測定用之光線，且對於各處理腔室PC1~PC3以不同波長的測定光來測定溫度。
    又，圖5係顯示第4實施形態之構成。圖5所示的溫度測定裝置100c中，光偵測器190與放大器191之間，設有從光偵測器190的輸出信號析出交流分量(AC分量)的交流分量抽出機構192。如此，藉由設置交流分量抽出機構192，如以縱軸為干涉強度(V)、橫軸為參考鏡移動距離(μm)的圖6之圖表中所示的波形，可排除測定信號中的直流分量之影響，藉此能以更佳精度進行溫度測定。
    又，圖7係顯示第5實施形態之構成。圖7所示的溫度測定裝置100d中，參考光傳送機構170途中插設有衰減器171。如此，藉由將衰減器171插設於參考光傳送機構170途中，能使參考光之強度靠近由第3光線分離機構140所4分割的第1~第4測定光之強度。藉此，如以縱軸為干涉強度(V)、橫軸為參考鏡移動距離(μm)的圖8之圖表中該波形所示，相較於圖2所示的沒有衰減器之情況而言，可放大干涉波形，能以更佳精度進行溫度測定。
    如以上說明，本發明實施形態中，可不經由多工器進行切換而同時測定多數之處理腔室PC1~PC6內部所設的溫度測定對象物之溫度。又，將反射成為溫度測定基準的參考光之參考光反射機構150及移動該參考光反射機構150來改變參考光之光路長度的光路長度改變機構160構成為共用，所以能消除機差發生，也能使裝置構成簡略化。
    以上參照附加圖式說明本發明實施形態，但本發明當然不限於此等實施形態。應了解到，所屬技術領域中具有通常知識者顯然可在申請專利範圍所記載的範疇內思及各種變更例或修正例，該等亦當然屬於本發明之技術範圍。
    PC1~PC6‧‧‧處理腔室
    10‧‧‧載置台
    11‧‧‧聚焦環
    100、100a~100d‧‧‧溫度測定裝置
    110‧‧‧光源
    120‧‧‧第1光線分離機構
    130‧‧‧第2光線分離機構
    140‧‧‧第3光線分離機構
    150‧‧‧參考光反射機構
    160‧‧‧光路長度改變機構
    161‧‧‧線性平台
    162‧‧‧伺服電動機
    163‧‧‧雷射干涉儀
    165‧‧‧電動機控制器
    166‧‧‧電動機驅動器
    170‧‧‧參考光傳送機構
    171‧‧‧衰減器
    180a~180d‧‧‧第1~第4測定光傳送機構
    190‧‧‧光偵測器
    191‧‧‧放大器
    192‧‧‧交流分量抽出機構
    200‧‧‧控制器
    201‧‧‧A/D轉換器
    d‧‧‧厚度
    L‧‧‧光路長度
    n‧‧‧折射率
    P‧‧‧測定點
    W‧‧‧半導體晶圓
    α‧‧‧線膨脹率
    β‧‧‧折射率變化之溫度係數
    △T‧‧‧溫度變化
    圖1係顯示本發明第1實施形態的溫度測定裝置之概略構成。
    圖2係顯示圖1的溫度測定裝置的干涉波形之例的圖表。
    圖3係顯示本發明第2實施形態的溫度測定裝置之概略構成。
    圖4係顯示本發明第3實施形態的溫度測定裝置之概略構成。
    圖5係顯示本發明第4實施形態的溫度測定裝置之概略構成。
    圖6係顯示圖5的溫度測定裝置的干涉波形之例的圖表。
    圖7係顯示本發明第5實施形態的溫度測定裝置之概略構成。
    圖8係顯示圖7的溫度測定裝置的干涉波形之例的圖表。
    PC1~PC6‧‧‧處理腔室
    10‧‧‧載置台
    11‧‧‧聚焦環
    100‧‧‧溫度測定裝置
    110‧‧‧光源
    120‧‧‧第1光線分離機構
    130‧‧‧第2光線分離機構
    140‧‧‧第3光線分離機構
    150‧‧‧參考光反射機構
    160‧‧‧光路長度改變機構
    161‧‧‧線性平台
    162‧‧‧伺服電動機
    163‧‧‧雷射干涉儀
    165‧‧‧電動機控制器
    166‧‧‧電動機驅動器
    170‧‧‧參考光傳送機構
    180a~180d‧‧‧第1~第4測定光傳送機構
    190‧‧‧光偵測器
    191‧‧‧放大器
    200‧‧‧控制器
    201‧‧‧A/D轉換器
    权利要求:
    Claims (6)
    [1] 一種溫度測定裝置，其特徵在於包含：光源；第1光線分離機構，用於將該來自光源的光線分離成多數之測定用之光線；多數之第2光線分離機構，用於將來自該第1光線分離機構的多數之測定用之光線，分別分離成測定光與參考光；與該第2光線分離機構相等數量之第3光線分離機構，用於將來自該第2光線分離機構的各測定光，再分離成第1~第n共n道測定光；參考光反射機構，用於分別反射來自該多數之第2光線分離機構的參考光；光路長度改變機構，用於改變從該參考光反射機構反射的參考光之光路長度；與該第2光線分離機構相等數量之參考光傳送機構，將來自該第2光線分離機構的各參考光，傳送到朝向該參考光反射機構進行照射的位置；第1~第n測定光傳送機構，將來自該第3光線分離機構的該第1~第n測定光，傳送至朝向各溫度測定對象物的各測定點進行照射的測定光照射位置；以及與該第2光線分離機構相等數量之光偵測器，用於測定從該溫度測定對象物反射的該第1~第n測定光與從該參考光反射機構反射的多數之參考光之間的干涉；並且，使得該第1~第n測定光從該第3光線分離機構起到該溫度測定對象物為止的各光路長度彼此互異，而且，藉由單一之該光路長度改變機構，改變從該參考光反射機構反射的參考光之光路長度。
    [2] 如申請專利範圍第1項之溫度測定裝置，其中，藉由單一之平面鏡來構成該參考光反射機構。
    [3] 如申請專利範圍第1或2項之溫度測定裝置，其中，該第1光線分離機構將該來自該光源的光線分離成不同波長區段的多數之該測定用之光線。
    [4] 如申請專利範圍第1~3項中任一項之溫度測定裝置，其中，更具有交流分量抽出機構，從來自該光偵測器的輸出信號中析出交流分量。
    [5] 如申請專利範圍第1~4項中任一項之溫度測定裝置，其中，更具有光衰減機構，用以使從該參考光反射機構反射的參考光之強度，衰減至靠近於從該溫度測定對象物反射的該第1~第n測定光之強度。
    [6] 一種溫度測定方法，其係採用溫度測定裝置來測定該溫度測定對象物之溫度，該溫度測定裝置包含：光源；第1光線分離機構，用於將該來自光源的光線分離成多數之測定用之光線；多數之第2光線分離機構，用於將來自該第1光線分離機構的多數之測定用之光線，分別分離成測定光與參考光；與該第2光線分離機構相等數量的第3光線分離機構，用於將來自該第2光線分離機構的各測定光再分離成第1~第n共n道測定光；參考光反射機構，分別反射來自該多數之第2光線分離機構的參考光；光路長度改變機構，用於改變從該參考光反射機構反射的參考光之光路長度；與該第2光線分離機構相等數量的參考光傳送機構，將來自該第2光線分離機構的各參考光，傳送至朝向該參考光反射機構進行照射的位置；第1~第n測定光傳送機構，將來自該第3光線分離機構的該第1~第n測定光，傳送至朝向各溫度測定對象物的各測定點進行照射的測定光照射位置；以及與該第2光線分離機構的相等數量的光偵測器，用於測定從該溫度測定對象物反射的該第1~第n測定光，其與從該參考光反射機構反射的多數之參考光之間的干涉；並且，使得該第1~第n測定光從該第3光線分離機構起到該溫度測定對象物為止的各光路長度彼此互異，其特徵在於：藉由單一之該光路長度改變機構來改變從該參考光反射機構反射的參考光之光路長度。
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